Производитель Номер продукта:
TSM018NB03CR RLG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM018NB03CR RLG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 29A (Ta), 194A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Инвентаризация:
4970 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13270740
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM018NB03CR RLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 194A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7252 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
TSM018
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1801-TSM018NB03CRRLGCT
1801-TSM018NB03CRRLGDKR
1801-TSM018NB03CRRLGTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFP18N65X2M
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
TSM080NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
TSM052NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
